BSD840N H6327參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：880mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 880mA，2.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT363-6
